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IGBT模塊動(dòng)態(tài)靜態(tài)測(cè)試服務(wù)中心

IGBT模塊動(dòng)態(tài)靜態(tài)測(cè)試服務(wù)中心
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所??在?地: 陜西省 西安
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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡稱長禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是一家從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),是CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室,屬于大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。

長禾實(shí)驗(yàn)室擁有的系統(tǒng)設(shè)備的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測(cè)試儀器設(shè)備100余臺(tái)套測(cè)試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn),以客戶需求為導(dǎo)向,不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測(cè)技術(shù),借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò),為合作伙伴提供的技術(shù)服務(wù)。

長禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位院所、工業(yè)控制船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體(寬禁帶半導(dǎo)體)應(yīng)用解決方案服務(wù)商。

長禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營理念,為客戶提供的服務(wù)、完善的解決方案及的技術(shù)支持;同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流,測(cè)試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。

IGBT使用中的注意事項(xiàng)

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵通過一層氧化膜與發(fā)射實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):

1. 在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)要觸摸模塊端子時(shí),要先 將或上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;

2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;

3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵驅(qū)動(dòng)電壓沒有超過柵大額定電壓,但柵連線的寄生電感和柵與集電間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),以減少寄生電感。在柵連線中串聯(lián)小電阻也可以振蕩電壓。此外,在柵—發(fā)射間開路時(shí),若在集電與發(fā)射間加上電壓,則隨著集電電位的變化,由于集電有漏電流流過,柵電位升高,集電則有電流流過。這時(shí),如果集電與發(fā)射間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場(chǎng)合,當(dāng)柵回路不正?;驏呕芈窊p壞時(shí)(柵處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會(huì)損壞,為防止此類故障,應(yīng)在柵與發(fā)射之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時(shí),應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。

保管時(shí)的注意事項(xiàng)

1. 一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為 5~35℃ ,常濕的規(guī)定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū),需用加濕機(jī)加濕;

2. 盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合;

3. 在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng) 放在溫度變化較小的地方;

4. 保管時(shí),須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;

5. 裝IGBT模塊的容器,應(yīng)選用不帶靜電的容器。

柵電荷

IGBT等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)電壓:2700V 檢測(cè)電流:4000A

國標(biāo),IEC

短路耐量能力

MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)電壓:1200V 檢測(cè)電流:1000A

美軍標(biāo),國標(biāo),IEC等

短路耐量能力

IGBT等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)電壓:2700V 檢測(cè)電流:10000A

國標(biāo),IEC

結(jié)電容

MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)電壓:3000V

IEC


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