功率器件MOSFET動靜態(tài)參數(shù)測試服務

IGBT模塊簡介

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙型晶體管復合而成的一種器件，其輸入為MOSFET，輸出為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現(xiàn)代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據(jù)了主導地位。

可知，若在IGBT的柵G和發(fā)射E之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電C與基之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵和發(fā)射之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵G—發(fā)射E間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

IGBT模塊的選擇

IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電電流時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗發(fā)熱加劇，選用時應該降溫等使用。

使用中的注意事項

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵通過一層氧化膜與發(fā)射實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：

1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當要觸摸模塊端子時，要先 將或上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；

2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；

3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

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