半導(dǎo)體廠家質(zhì)量部專用半導(dǎo)體功率器件測試儀

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IGBT、MOS等是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開關(guān)器件。其中，城市軌道交通車輛的牽引逆變器、輔助逆變器等重要電氣設(shè)備中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各種靜態(tài)參數(shù)的測試為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)，因此在實(shí)踐中能準(zhǔn)確測量各種靜態(tài)參數(shù)具有極其重要的實(shí)際意義。

半導(dǎo)體參數(shù)測試儀，是針對(duì)IGBT、MOS等器件的各種靜態(tài)參數(shù)而專門設(shè)計(jì)的一套全自動(dòng)測試系統(tǒng)。

該測試系統(tǒng)具有如下特點(diǎn)：

該測試系統(tǒng)是一套綜合參數(shù)測試系統(tǒng)，對(duì)設(shè)備自身的抗干擾能力要求較高，因此難度比較大；

該測試系統(tǒng)完全采用自動(dòng)控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測試；

該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL 文件進(jìn)行處理。

該測試系統(tǒng)主要由以下部分組成：

u 柵極-發(fā)射極漏電流測試單元

u 柵極-發(fā)射極閾值電壓測試單元

u 門極-發(fā)射極間電壓測試單元

u 集電極-發(fā)射極電壓測試單元

u 集電極-發(fā)射極飽和電壓測試單元

u 二極管壓降測試單元

u 二極管反向擊穿電壓測試單元

u MOSFET導(dǎo)通電阻測試單元