| 品 ?????牌： | 西安易恩電氣 |
| 單????? 價(jià)： | 188.00元/臺(tái)面議 |
| 最小起訂： | 1 臺(tái) |
| 發(fā)貨期限： | 自買家付款之日起 3起 天內(nèi)發(fā)貨 |
| 所??在?地： | 陜西省 西安 |
| 供貨總量： | 100 臺(tái) |
| 有效期至： | 長(zhǎng)期有效 |
| 聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)?zhí)峒霸诎俜骄W(wǎng)看到，會(huì)有優(yōu)惠。 | |
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分立器件測(cè)試設(shè)備測(cè)試可測(cè)試市面上常見(jiàn)的18類分立器件靜態(tài)全參數(shù)，如一下參數(shù)；
1、二極管DIODE
|
測(cè)試參數(shù)名稱 |
電壓范圍 |
電流范圍 |
分辨率 |
精度 |
|
IR |
0.10V-2kV |
1nA(20pA)1-50mA |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
|
BVR |
0.10V-2kV |
1nA-3A |
1mV |
1%+10mV |
|
VF |
0.10V-5.00V -9.99V |
IF:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 |
1mV |
VF:1%+10mV IF:1%+1nA |
2、絕緣柵雙極大功率晶體管IGBT
|
測(cè)試參數(shù)名稱 |
電壓范圍 |
電流范圍 |
分辨率 |
精度 |
|
ICES IGESF IGESR |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
|
BVCES |
0.1V-900V -1.4KV -1.6KV |
100μA-200mA -100mA -50mA |
1mV |
1%+100mV |
|
VGETH |
0.10V-20V(50V)2 |
1nA-3A |
1mV |
1%+10mV |
|
VCESAT ICON VGEON VF gFS(混合參數(shù)) |
VCE:0.10V-5.00V -9.99V VGE:0.10V-9.99V |
IC:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IF, IGE:1nA-10A |
1mV |
V:1%+10mV IF IC:1%+1nA IGE:1%+5nA |
3、晶體管 TRANSISTOR
|
測(cè)試參數(shù)名稱 |
電壓范圍 |
電流范圍 |
分辨率 |
精度 |
|
ICBO ICEO/R/S/V IEBO |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
|
BVCEO BVCBO BVEBO |
0.10V-900V -1.4kV -1.6kV 0.10V-2KV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA-200mA -100mA -50mA -50mA 1nA(20pA)1-3A |
1mV |
1%+10mV 1%+10mV |
|
hFE(1-10000) |
VCE:0.10V-5.00V -9.99V -49.9V |
IC:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 -3A IB:1nA-10A |
0.01hFE |
VCE: 1%+10mV IC: 1%+1nA IB: 1%+5nA |
|
VCESAT VBESAT VBE(VBEON) RE |
VCE:0.10V-5.00V -9.99V VBE:0.10V-9.99V |
IE:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IB:1nA-10A |
1mV |
V：1%＋10mV IE：1%＋1nA IB：1%＋5nA |
4、MOS場(chǎng)效應(yīng)管 MOS-FET
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測(cè)試參數(shù)名稱 |
電壓范圍 |
電流范圍 |
分辨率 |
精度 |
|
IDSS/VIGSSFIGSSR VGSFVGSR |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
|
BVDSS |
0.10V-2kV |
1nA-50mA |
1mV |
1%+100mV |
|
VGSTH |
0.10V-49.9V |
ID:100uA-3A |
1mV |
1%+ 10mV |
|
VDSON、VF(VSD) IDON、VGSON RDSON(混合參數(shù)) gFS (混合參數(shù)) |
VD VF:0.10V-5.00V -9.99V VGS:0.10V-9.99V |
IFID:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IG:1nA-10A |
1mV |
V:1%+10mV IF.ID:1%+1nA IG：1%+5nA |
5、J型場(chǎng)效應(yīng)管J-FET
|
測(cè)試參數(shù)名稱 |
電壓范圍 |
電流范圍 |
分辨率 |
精度 |
|
IGSS IDOFF IDGO |
VGS:0.10V-20V(80V)2 VDS:0.10V-999V |
1nA(20pA)1-3A 1nA(20pA)1-50mA |
1nA(1pA)1
|
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
|
BVDGO BVGSS |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA-50mA 1nA-3A |
1mV |
1%+100mV 1%+10mV |
|
VDSON，VGSON IDSS，IDSON RDSON (混合參數(shù)) gFS (混合參數(shù)) |
0.10V-5.00V -9.99V |
ID:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IG:1nA-10A |
1mV |
V:1%+10mV ID:1%+1nA IG:1%+5nA |
|
VGSOFF |
0.10V-20V(80V)2 |
ID:1nA(20pA)2-3A VD:0.10V-50V |
1mV |
1%＋10mV |
6、單向可控硅整流器（普通晶閘管）SCR
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測(cè)試參數(shù)名稱 |
電壓范圍 |
電流范圍 |
分辨率 |
精度 |
|
IDRM、IRRM、 IGKO |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
|
VDRM、VRRM BVGKO |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA-50mA 1nA-3A |
1mV 1mV |
1%+100mV 1%+10mV |
|
VTM |
0.10V-5.00V -9.99V |
10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 |
1 mV |
VT:1%+10mV IT:1%+1nA |
|
I GT VGT |
VD:5V-49.9V VGT:0.10V-20V(80V)2 VT:100mV-49.9V |
IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT |
1mV 1nA |
1%+10mV 1%+5nA |
|
IL(間接參數(shù)) |
VD:5V-49.9V |
IL:100μA-3A IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT |
N/A |
N/A |
|
IH |
VD:5V-49.9V |
IH:10uA-1.5A IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT (IAK初值由RL設(shè)置) |
1uA |
1%+2uA |
會(huì)員中心
