產(chǎn)品詳細(xì)說(shuō)明
DST520石英晶振,大真空晶振,進(jìn)口貼片晶振,
大真空晶振特點(diǎn)：適合應(yīng)用一些高端產(chǎn)品,比如智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.特別是在進(jìn)口貼片晶振中型號(hào)為
DST520石英晶振具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī).
| 規(guī)格 |
DST520 |
DST621 |
| 頻率范圍 |
32.768kHz（30~100kHz） |
| 負(fù)載電容 |
Series, 7pF, 8pF, 9pF, 12pF,12.59pF, |
| 激勵(lì)功率 |
1.0μW（1.5μW Max.） |
| 頻率公差 |
±20×10-6, ±30×10-6（at25℃） |
| 串聯(lián)電阻 |
80KΩMax |
70KΩMax |
| 拐點(diǎn)溫度 |
+25℃±5℃ |
| 二次溫度系數(shù) |
-0.04×10-6/℃2 Max |
| 工作溫度范圍 |
-40~+85℃ |
| 保存溫度范圍 |
-40~+85℃ |
| 并列電容 |
1.05pF Typ |
1.00pF Typ |
| 封裝 |
3000pcs./reel （Φ180）
|
石英晶體諧振器成品上標(biāo)有一個(gè)標(biāo)稱頻率，當(dāng)電路工作在這個(gè)標(biāo)稱頻率時(shí)，頻率穩(wěn)定度最高。這個(gè)標(biāo)稱頻率通常是在成品出廠前，在石英晶體上并接一定的負(fù)載電容條件下測(cè)定的。在實(shí)際組成石英晶體振蕩器時(shí)必須在石英晶體兩端并接負(fù)載電容，且負(fù)載電容必須符合石英晶體技術(shù)條件中所規(guī)定的數(shù)值，這個(gè)電容大都采用微調(diào)電容，以便調(diào)整。規(guī)定的負(fù)載電容值載于廠家的產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)中，通常為30pF(高頻晶體)，或?yàn)?00pF (低頻晶體)，還有32.768KHZ普通晶體對(duì)應(yīng)的12.5PF（最普通常見(jiàn)的一種負(fù)載電容）或標(biāo)示為田(這是指無(wú)需外接負(fù)載電容，通常用在串聯(lián)晶體振蕩器中)。
石英晶體諧振器的激勵(lì)電平應(yīng)在規(guī)定范圍內(nèi)。石英晶體諧振器在振蕩器中被激勵(lì)時(shí)，要通過(guò)激勵(lì)電流，要消耗一定的激勵(lì)功率。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，應(yīng)使輸入石英晶體的激勵(lì)功率不超過(guò)額定值。過(guò)高的激勵(lì)功率會(huì)使石英諧振器內(nèi)部溫度升高，使石英晶片的老化效應(yīng)和頻率漂移增大；極強(qiáng)的激勵(lì)功率會(huì)使石英晶片的機(jī)械振動(dòng)過(guò)于劇烈而損壞。
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