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DSB211SDN晶振,1XXD26000MAA溫補(bǔ)晶振

DSB211SDN晶振,1XXD26000MAA溫補(bǔ)晶振
品 ?????牌: 日本KDS
單????? 價(jià): 2.20元/pcs面議
最小起訂: 2000 pcs
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 1起 天內(nèi)發(fā)貨
所??在?地: 廣東省 深圳
供貨總量: 54860 pcs
有效期至: 長(zhǎng)期有效
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)?zhí)峒霸诎俜骄W(wǎng)看到,會(huì)有優(yōu)惠。

公司基本資料信息

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產(chǎn)品詳細(xì)說明
DSA211SDM(VC-TCXO)KDS溫補(bǔ)晶振,DSB211SDN晶振,1XXD26000MAA晶振
頻率范圍12.288MHZ52.000MHZ
電源電壓:1.8V

輸出負(fù)載: 10PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±0.5ppm
輸出方式:CMOS
尺寸:世界級(jí)小型2.0*1.6*0.63mm
應(yīng)用:移動(dòng)通信設(shè)備,無線模塊,汽車電子,精密儀器,程控交換設(shè)備,北斗+GPS導(dǎo)航定位系統(tǒng),輪船機(jī)器控制設(shè)備等產(chǎn)品.

KDS晶振封面
       KDS晶振性能穩(wěn)定,精度高,體積小,在惡劣環(huán)境也能正常工作,TCXO溫補(bǔ)晶振溫度穩(wěn)定度可達(dá)±0.5PPM.在普通晶體諧振器和振蕩器中,我們可接受高頻率和偏頻率以及少數(shù)量的高精度寬溫的制作. KDS石英晶振具有最適合于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.
       KDS產(chǎn)品在業(yè)界屬于高端產(chǎn)品,其應(yīng)用偏向中高端市場(chǎng). 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗.
產(chǎn)品說明:
       KDS溫補(bǔ)晶振,DSB211SDN晶振,1XXD26000MAA晶振,這款溫度補(bǔ)償型石英晶振,是KDS株式會(huì)社研發(fā)量產(chǎn)的最小的一款溫補(bǔ)晶振,封裝尺寸2.0*1.6*0.63mm,比一枚1元硬幣的高度還要小,應(yīng)用在電子產(chǎn)品中可以縮小很多空間,使被應(yīng)用的產(chǎn)品達(dá)到小巧,便捷式的現(xiàn)代理念,DSB211SDN晶振通常都是被用在高端高要求產(chǎn)品身上,因?yàn)檫@款晶振的穩(wěn)定性比較好,精度最高可以達(dá)到±0.5ppm,受到廣大用戶群體的信賴.
產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)圖:

KDS溫補(bǔ)晶振

標(biāo)示

DSB211SDN晶振

晶振基本信息對(duì)照表

標(biāo)準(zhǔn)范圍

f0

26.000MHz

 

電源電圧

Vcc

+1.8V

 

輸出電流

Icc

1.5 mA max.

Vcc=1.8V

出力負(fù)載

L_CMOS

10pF

CMOS 出力

標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差

f_tol

±0.5ppm

初期偏差、
周波數(shù)溫度特性、
電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、
経時(shí)変化(1年、+25℃時(shí))

輸出電壓

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

 

對(duì)稱

SYM

40%~60%

50% Vcc

標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間

tr/tf

12 ns max.(1.8~80MHz)

10%Vcc~90%、L_CMOS=10pF

產(chǎn)品尺寸圖:
有源晶振系列2016
產(chǎn)品注意事項(xiàng):
抗沖擊
石英晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致KDS溫補(bǔ)晶振性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用SMD晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
產(chǎn)品工作條件:
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
    超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)

3.    測(cè)試電路

DSB211SDN晶振 :在進(jìn)口KDS振蕩器頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接       
(1)CMOS 負(fù)載
型號(hào):
DSB211SDN
·          
(2) 抗低,電容負(fù)載
型號(hào):
DSB211SDN
·               
(3) TTL 負(fù)載
型號(hào):
DSB211SDN
·   
(4) LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):
DSB211SDN
·            
(5)LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):
DSB211SDN
 
(6) LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):
DSB211SDN
 
(7) LVDS 負(fù)載
型號(hào):
DSB211SDN
 
(8) HCSL 負(fù)載
型號(hào):DSB211SDN

晶振在線訂購(gòu):
公司名:深圳市金洛電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
電話:0755-27837162
QQ號(hào):657116624
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號(hào)
網(wǎng)址:http://www.jinluodz.com
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